비활성램 FRAM I2C 모듈 -MB85RC256V

(I2C Non-Volatile FRAM Breakout Board -MB85RC256V)

본 제품은 비활성램 FRAM I2C 모듈 -MB85RC256V입니다.
FRAM(Ferroelectric Ram) 은 새로운 형태의 데이터 저장장치입니다.
DRAM과 비슷하지만 DRAM의 dielectric layer대신 ferroelectric layer가 사용되어 빠른 반응 속도를 보이면서도 쓴 데이터는 비활성 데이터가 되게 됩니다.
본 제품은 I2C인터페이스를 가진 FRAM 모듈로 당신의 프로젝트에 FRAM을 장착할 수 있게 하여 줍니다.
저전력이며, 빠른 쓰기 속도를 가지고 있어 저전력 데이터 로깅 어플리케이션이나 전원이 불안전한 어플리케이션의 데이터 버퍼링등에 사용이 가능합니다.
플래쉬나 EEPROM과는 다르게 걱정할 페이지가 없습니다.
각각의 바이트는 10,000,000,000,000 번 읽고 쓰기가 가능합니다.
본 FRAM 칩은 256kbits(32Kbytes)의 저장공간을 가지고 있으며, 1Mhz I2C rate까지 동작이 가능합니다.
각각의 바이트는 SRAM처럼 동시에 읽고 쓸수 있지만 상온에서 95년동안 데이터 저장이 가능합니다.
3V 혹은 5V로 사용이 가능합니다.